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射频晶体管
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MRF1511NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
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数量单价合计
1
¥83.7556
83.7556
10
¥76.9982
769.982
25
¥73.6082
1840.205
100
¥65.088
6508.8
1,000
¥51.5619
51561.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
13 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1.83 mm
长度
6.73 mm
工作频率
175 MHz
系列
MRF1511NT1
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
62.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
零件号别名
935314119515
单位重量
280 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GTVA263202FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,866.1385
参考库存:38114
MAX2601ESA+
Maxim Integrated
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap
1:¥34.4198
25:¥27.0522
50:¥23.3571
250:¥22.8938
1,000:¥20.7468
参考库存:4345
ARRAYX-BOB3-144P-GEVK
ON Semiconductor
射频晶体管
光学传感器开发工具 C-ARRAY 3MM 12X12 BOB
1:¥3,531.7246
参考库存:4002
BFP196WH6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.59212
参考库存:33414
SD4931
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
1:¥614.72
5:¥603.42
10:¥576.30
25:¥557.09
参考库存:38125

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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