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射频晶体管
CGHV1J006D-GP4参考图片

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CGHV1J006D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
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10
¥245.2778
2452.778
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
0.8 A
输出功率
6 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
配置
Single
高度
100 um
长度
840 um
工作频率
10 MHz to 18 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
800 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
2.3 Ohms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TP9383
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥571.5314
10:¥524.433
25:¥470.645
50:¥416.857
参考库存:2633
D2225UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz PP
100:¥207.5471
250:¥204.0102
参考库存:36699
PH1617-4N
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
29:¥478.9392
参考库存:36704
HFA3134IHZ96
Renesas / Intersil
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X NPN MATCHED INDE
1:¥47.6408
10:¥40.4992
100:¥35.1204
250:¥33.2672
3,000:¥23.9786
参考库存:17560
MRF8P9210NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 63W
250:¥657.5922
参考库存:36711

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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