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射频晶体管
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QPD1003

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19.9 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
15 A
输出功率
540 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
370 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
RF-565
封装
Tray
配置
Single
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1003PCB401
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
零件号别名
1131389
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFU550R
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥4.1471
10:¥3.4352
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:113228
MMRF1316NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1316N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
500:¥507.5282
参考库存:37019
T1G4020036-FS
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
暂无价格
参考库存:37024
BLW85
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:37029
BFP181E7764HTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:47695

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    50万现货SKU

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