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射频晶体管
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PRF947,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 50mA 8.5GHZ
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.5199
25.199
100
¥1.5368
153.68
1,000
¥1.1865
1186.5
3,000
¥1.01474
3044.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
10 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.5 V
集电极连续电流
0.05 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
50
高度
1 mm
长度
2.2 mm
工作频率
8500 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.35 mm
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
8500 MHz
最大直流电集电极电流
0.05 A
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934043080115
单位重量
5.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF7S24250N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥1,100.959
5:¥1,079.602
10:¥1,043.9505
25:¥999.7675
250:¥896.4177
参考库存:35495
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
1,000:¥9.379
2,000:¥8.6784
5,000:¥8.3733
10,000:¥8.0682
参考库存:35500
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.7629
10:¥2.9154
100:¥1.6159
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.07576
参考库存:29566
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,347.5411
25:¥2,314.6468
参考库存:35507
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Composite Transistor 2.9x2.8mm Gull Wing
3,000:¥1.03734
9,000:¥0.96841
24,000:¥0.89157
45,000:¥0.84524
参考库存:35512
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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