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射频晶体管
STAC4932F参考图片

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STAC4932F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
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库存:40,070(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥919.0064
919.0064
5
¥902.1016
4510.508
10
¥861.5346
8615.346
25
¥832.7874
20819.685
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 mA
Vds-漏源极击穿电压
200 V
增益
24.6 dB
输出功率
1 kW
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC244F
封装
Bulk
配置
Dual Common Source
工作频率
250 MHz
系列
STAC4932F
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
6 S
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
80
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB
1:¥751.111
5:¥689.2548
10:¥618.562
25:¥547.8692
参考库存:38608
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF5/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:38613
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥2.3504
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.59212
参考库存:244479
射频晶体管
射频开发工具 2.3-2.7 GHz .25W Eval Board
暂无价格
参考库存:38620
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:18436
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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