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射频晶体管
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MMBT2222A-G

  • Comchip Technology
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 VCEO=40V IC=600mA
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数量单价合计
1
¥1.8419
1.8419
10
¥1.1978
11.978
100
¥0.54579
54.579
1,000
¥0.34578
345.78
3,000
¥0.26103
783.09
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Comchip Technology
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MMBT2222A
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极连续电流
600 mA
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
300 MHz
输出功率
-
类型
RF Bipolar Power
商标
Comchip Technology
最大直流电集电极电流
600 mA
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1013HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1013H/CFM4F///REEL 13
1:¥2,852.911
5:¥2,809.0444
10:¥2,767.2344
25:¥2,707.4574
50:¥2,665.8847
参考库存:40041
AFV10700GSR5
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV10700GS/CFM4///REEL 13
50:¥3,124.4726
参考库存:40046
A2T18S160W31SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥1,160.3631
参考库存:40051
PH1214-25M
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥1,619.7081
参考库存:5952
AFT27S010NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-3.6GHz 1.26W
1:¥123.5542
10:¥113.565
25:¥108.5704
100:¥95.9709
1,000:¥75.9925
参考库存:20574

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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