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射频晶体管
MMBT2907A-G参考图片

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MMBT2907A-G

  • Comchip Technology
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 VCEO=60V IC=600mA
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数量单价合计
1
¥1.8419
1.8419
10
¥1.1978
11.978
100
¥0.54579
54.579
1,000
¥0.34578
345.78
3,000
¥0.26103
783.09
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Comchip Technology
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MMBT2907A
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极连续电流
- 600 mA
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
200 MHz
输出功率
-
类型
RF Bipolar Power
商标
Comchip Technology
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230H
50:¥4,403.7004
参考库存:37068
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans N-Ch 50V 150MHz FET
1:¥823.7248
5:¥808.5828
10:¥772.1629
25:¥746.4215
参考库存:37073
射频晶体管
射频开发工具 RFDA4005 EVB Sample Kit
暂无价格
参考库存:37078
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2OW-12.5V-1GHz PP
1:¥1,009.3725
10:¥891.2649
25:¥790.9887
50:¥749.6533
参考库存:37083
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥640.5405
参考库存:37088
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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