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射频晶体管
BFR 340F H6327参考图片

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BFR 340F H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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库存：20,568(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.3617
23.617
100
¥1.09158
109.158
1,000
¥0.83733
837.33
3,000
¥0.71416
2142.48
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR340
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
20 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.9 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
20 mA
Pd-功率耗散
75 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR340FH6327XTSA1 BFR34FH6327XT SP000750426
单位重量
1.430 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF1K50N-TF1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF1/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥10,502.107
5:¥10,423.8884
参考库存:1473
A2V07H400-04NR3
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V07H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥744.1163
参考库存:35609
A3T21H455W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H455W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥893.6492
参考库存:35614
PH1516-60
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,400.5607
参考库存:35619
PD57060-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
1:¥415.5462
5:¥406.2576
10:¥390.3472
25:¥377.7477
参考库存:8700

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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