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射频晶体管

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SD2932W

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
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数量单价合计
1
¥1,170.8156
1170.8156
5
¥1,147.7636
5738.818
10
¥1,094.2807
10942.807
25
¥1,071.3078
26782.695
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
16 dB
输出功率
300 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M244
封装
Tube
配置
Dual
工作频率
250 MHz
系列
SD2932
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
500 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
90
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFR 182W H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.7686
10:¥3.1866
100:¥1.7854
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:20467
PH1090-350L
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥3,306.1201
参考库存:36108
MRF1517NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
1:¥88.2869
10:¥79.7554
25:¥69.5402
100:¥66.0824
1,000:¥48.6352
参考库存:4589
BFP650FH6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.068
10:¥3.4239
100:¥2.0905
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:103666
MRF150MP
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors
1:¥962.2628
2:¥935.6852
5:¥914.2378
10:¥887.502
参考库存:2178

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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