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射频晶体管
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MRF586

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库存:7,083(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥80.682
80.682
10
¥67.235
672.35
25
¥60.5454
1513.635
50
¥53.788
2689.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
17 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
封装
Tray
工作频率
500 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
2.5 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:1401
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥345.78
10:¥288.15
25:¥259.335
50:¥230.52
参考库存:1263
射频晶体管
光学传感器开发工具 C-SERIES 3MM 20U SMTPA
1:¥528.275
参考库存:1345
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥74.7608
1,000:¥74.7608
参考库存:5632
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-895MHz 105Watt Gain 18dB
1:¥620.483
5:¥569.3844
10:¥510.986
25:¥452.5876
参考库存:35358
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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