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射频晶体管
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UF2840G

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
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1
¥1,104.4959
1104.4959
10
¥994.0836
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
40 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
319-07
封装
Tray
配置
Single
工作频率
100 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
116 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
6 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFU550WF
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
10,000:¥1.04525
参考库存:55334
CGH27030S
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
1:¥404.1784
250:¥404.1784
参考库存:6101
GTVA107001EC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
1:¥6,372.7254
50:¥6,372.7254
参考库存:3288
CE3512K2
CEL
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
1:¥11.6051
10:¥8.8366
100:¥6.4523
500:¥5.4918
参考库存:6610
BFP420H6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
3,000:¥1.06785
参考库存:76712

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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