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分立半导体
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PD55035-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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数量单价合计
1
¥254.1822
254.1822
5
¥251.5719
1257.8595
10
¥234.4411
2344.411
25
¥223.9095
5597.7375
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
16.9 dB
输出功率
35 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55035-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MJE5850G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 300V 80W PNP
1:¥20.8259
10:¥17.7523
100:¥14.1363
500:¥12.3735
1,000:¥10.2943
参考库存:3904
APT50GN60BDQ2G
Microsemi
分立半导体
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥71.4612
10:¥64.3196
25:¥58.5566
100:¥52.8614
参考库存:3111
PEMD4,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.9945
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:27438
MMBZ5248BS-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 18V 200mW
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:28565
PMEG4005AEV,115
Nexperia
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
4,000:¥0.41471
参考库存:34127

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