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SI2377EDS-T1-GE3参考图片

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SI2377EDS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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库存：108,546(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.9549
195.49
500
¥1.6159
807.95
1,000
¥1.243
1243
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.4 A
Rds On-漏源导通电阻
61 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4 ns
典型接通延迟时间
0.2 ns
零件号别名
SI2377EDS-GE3
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MPG06GHE3_A/53
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1A,400V,MINI-PLASTIC RECT.
18,000:¥0.83733
27,000:¥0.7684
参考库存:50245
CMPD2003S TR
Central Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 HV Switching Diode Single 200Vr 250Vrrm
6,000:¥1.4577
9,000:¥1.356
24,000:¥1.2882
45,000:¥1.2543
参考库存:846693
1N5941E3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
5,000:¥5.1754
10,000:¥4.7912
参考库存:50252
1N5923CPE3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥6.3958
8,000:¥6.1472
参考库存:50257
VS-GB75TP120N
Vishay Semiconductors
分立半导体
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
暂无价格
参考库存:50262

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    50万现货SKU

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