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分立半导体
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STGP14NC60KD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.9947
3497.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
11 A
Pd-功率耗散
28 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP14NC60KD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
7 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
14 A
栅极—射极漏泄电流
150 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS1N7051-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳流二极管
50:¥1,146.0686
100:¥1,146.0686
参考库存:56898
JANS1N5301-1
Microsemi
分立半导体
稳流二极管 Current Regulator
50:¥1,066.7652
参考库存:56903
1N4775A/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥359.9163
200:¥339.791
参考库存:56908
1N5348/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥14.1363
6,000:¥12.9837
参考库存:56913
1N4749P/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥9.831
8,000:¥9.4468
参考库存:56918

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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