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分立半导体
IKB40N65EH5ATMA1参考图片

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IKB40N65EH5ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 40A 650V TRENCHSTOP 5 fast H5 IGBT copacked with 40A Rapid 1 diode
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数量单价合计
1
¥37.4934
37.4934
10
¥31.8886
318.886
100
¥27.6624
2766.24
250
¥26.2047
6551.175
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
74 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
74 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
IKB40N65EH5 SP001613462
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-72HF80
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 800 Volt 70 Amp
1:¥88.2869
10:¥79.5294
50:¥72.4556
100:¥65.3931
参考库存:4005
VS-VSKD71/12
Vishay Semiconductors
分立半导体
分立半导体模块 1200 Volt 80 Amp 1570 Amp IFSM
1:¥285.3815
5:¥277.7766
10:¥267.019
参考库存:3947
2SB1201S-E
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 50V
1:¥4.9155
10:¥4.0906
100:¥2.4973
1,000:¥1.9323
2,500:¥1.6498
参考库存:9894
IPI45N06S409AKSA2
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFET
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.119
500:¥6.2941
参考库存:8911
FCPF380N60-F152
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 650V, 380mOhm SuperFET II MOSFET
1:¥16.9839
10:¥14.4414
100:¥11.526
参考库存:4693

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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