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分立半导体
IKB40N65EH5ATMA1参考图片

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IKB40N65EH5ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 40A 650V TRENCHSTOP 5 fast H5 IGBT copacked with 40A Rapid 1 diode
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数量单价合计
1
¥37.4934
37.4934
10
¥31.8886
318.886
100
¥27.6624
2766.24
250
¥26.2047
6551.175
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
74 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
74 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
IKB40N65EH5 SP001613462
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GB10SLT12-247
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V 10A SiC Schottky Rectifier
600:¥91.3605
1,020:¥83.8347
参考库存:35184
SC3S06505C-T
Rectron
分立半导体
肖特基二极管与整流器 TO-252 SiC Schottky
2,500:¥12.3735
5,000:¥11.30
参考库存:35189
CGHV59070F
Wolfspeed / Cree
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt
暂无价格
参考库存:35194
FM4755W-W
Rectron
分立半导体
稳压二极管 1.0W 43V 10%
10,000:¥0.99892
20,000:¥0.7684
50,000:¥0.63054
参考库存:35199
STB10N60M2
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2264
1,000:¥6.8704
参考库存:9380

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    50万现货SKU

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