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分立半导体
SQD25N06-22L_GE3参考图片

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SQD25N06-22L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥13.3679
13.3679
10
¥12.0684
120.684
100
¥9.6841
968.41
500
¥7.5371
3768.55
2,000
¥5.8534
11706.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
62 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
32 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
80 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSM100GD60DLC
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 600V 100A 3-PHASE
10:¥1,276.3915
30:¥1,258.481
参考库存:42506
TDZTR9.1
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 9.1V 500mW 10mA
3,000:¥0.72207
9,000:¥0.66105
24,000:¥0.61472
45,000:¥0.5537
99,000:¥0.52997
参考库存:42511
1N5829
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Power Schottky
100:¥273.8555
250:¥250.2724
参考库存:42516
LLZ5246B L0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 16v
30,000:¥0.20001
50,000:¥0.1695
参考库存:42521
KBP204-BP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
桥式整流器 2A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
5,000:¥2.0001
10,000:¥1.8419
25,000:¥1.808
参考库存:42526

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

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