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分立半导体
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ZTX705STZ

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 PNP 120V TRANS 1A 3K Gain 1W
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2,000
¥3.0397
6079.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
最大直流电集电极电流
1 A
最大集电极截止电流
0.1 uA
Pd-功率耗散
1 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX705
封装
Bulk
直流电流增益 hFE 最大值
3000
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
3000 at 10 mA at 5 V, 3000 at 100 mA at 5 V, 3000 at 1 A at 5 V, 2000 at 2 A at 5 V
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLP3034PBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET MOSFT 40V 327A 1.7mOhm 108nC TO221
1:¥37.2674
10:¥31.6626
100:¥27.4364
250:¥26.0465
500:¥23.3571
参考库存:5382
ZXTN04120HP5TC
Diodes Incorporated
分立半导体
达林顿晶体管 120V NPN Med Pwr Darlington 1.5A 3.2W
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
5,000:¥1.5368
参考库存:16844
STGP20V60DF
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥19.1309
10:¥16.2155
100:¥12.9837
500:¥11.3678
参考库存:3436
STF13NM60N
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.9783
参考库存:11168
PZT2222AT3G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 600mA 75V NPN
1:¥3.1527
10:¥2.2148
100:¥1.01474
1,000:¥0.78422
4,000:¥0.66896
参考库存:144350

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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