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无线和射频半导体
HMC998APM5E参考图片

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HMC998APM5E

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库存:1,811(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,665.5861
1665.5861
5
¥1,642.0708
8210.354
10
¥1,595.1193
15951.193
25
¥1,513.0587
37826.4675
50
¥1,503.7588
75187.94
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
类型
Power Amplifier
技术
GaAs
工作频率
0.1 GHz to 22 GHz
P1dB - 压缩点
30 dBm
增益
12.5 dB
工作电源电压
10 V to 15 V
NF—噪声系数
5 dB
测试频率
18 GHz to 22 GHz
OIP3 - 三阶截点
40 dBm
工作电源电流
500 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC998
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
- 15 dB
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
8.4 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU PROC BLE
2,000:¥44.7254
参考库存:50845
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-28V-1GHz SE
100:¥131.5546
250:¥131.0122
500:¥130.7071
参考库存:50850
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU micrium Transm. 433 MHz FLASH 125 C
3,450:¥58.5566
参考库存:50855
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥524.7381
参考库存:50860
无线和射频半导体
射频收发器 Bluetooth Cntlr
5,000:¥27.8206
参考库存:50865
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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