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无线和射频半导体

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CE3512K2

  • CEL
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
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库存:6,573(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥8.8366
88.366
100
¥6.4523
645.23
500
¥5.4918
2745.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
CEL
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
Vds-漏源极击穿电压
4 V
Id-连续漏极电流
10 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
125 mW
安装风格
SMD/SMT
封装
Bulk
商标
CEL
正向跨导 - 最小值
54
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
单位重量
16.473 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:31602
无线和射频半导体
RFID应答器 16kB EEPROM Dual INT 400 kHz IC2 13.56MHz
1:¥10.9158
10:¥9.2999
100:¥7.1077
500:¥6.2828
5,000:¥4.3957
参考库存:21179
无线和射频半导体
射频放大器 hi IP3, lo Noise amp, 0.2 - 4.0 GHz
1:¥48.8725
10:¥44.183
25:¥42.1038
100:¥36.5781
500:¥31.8095
参考库存:2946
无线和射频半导体
调谐器 Direct Conversion Tu Ner For Dvb-S -75 To
1:¥27.4364
25:¥19.5942
250:¥18.2156
1,000:¥16.5206
参考库存:3238
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥362.6057
2:¥352.7747
5:¥343.0115
10:¥333.2596
参考库存:2190
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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