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无线和射频半导体
HFA3127BZ参考图片

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HFA3127BZ

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL
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库存:5,842(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.9924
73.9924
10
¥66.8508
668.508
25
¥63.7772
1594.43
100
¥55.3248
5532.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3127
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.065 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Quint
封装 / 箱体
SOIC-Narrow-16
封装
Tube
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 2 V
高度
1.5 mm
长度
10 mm
工作频率
8000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
4 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
8000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.065 A
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
48
子类别
Transistors
单位重量
140 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 50-18000MHz VCA
100:¥80.682
参考库存:49711
无线和射频半导体
射频放大器 upscreen part for Space
500:¥101.6548
参考库存:49716
无线和射频半导体
上下转换器 Hi IP3 Dual Dwncnv, w/LO Swt, 0.7-1.0GHz
33:¥181.9526
100:¥172.89
250:¥164.9009
500:¥156.9796
参考库存:49721
无线和射频半导体
射频接收器 315MHz Low-Power 3V Superheterodyne Rcvr
2,500:¥15.8313
参考库存:51086
无线和射频半导体
射频放大器 A2I20D020N/FM17F///REEL 13 Q2 DP
1:¥318.1176
5:¥300.9077
10:¥296.6024
25:¥275.1663
500:¥217.8414
参考库存:49728
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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