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无线和射频半导体
NSVF4017SG4T1G参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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NSVF4017SG4T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G
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库存:16,966(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
3,000
¥1.4577
4373.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
100 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-82FL-4
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
10 GHz
商标
ON Semiconductor
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.3617
1,000:¥1.8306
3,000:¥1.5594
参考库存:29198
无线和射频半导体
射频放大器 2-2400MHz NF 4.0dB Gain 9.0dB
1:¥1,280.6177
参考库存:2040
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-3.0GHz ISO 27dB IL .4dB @2.4GHz
1:¥7.6049
10:¥5.8873
100:¥4.4635
500:¥3.8081
3,000:¥2.4973
参考库存:29792
无线和射频半导体
射频放大器 DistributedAmplifier Sample Pack
2:¥2,052.7806
6:¥2,023.7396
10:¥1,965.9514
26:¥1,864.7486
参考库存:2014
无线和射频半导体
上下转换器 High-Gain 700MHz to 1GHz Downconv
1:¥155.827
10:¥144.8434
25:¥125.9385
50:¥113.6441
参考库存:2271
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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