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无线和射频半导体
NSVF4017SG4T1G参考图片

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NSVF4017SG4T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
3,000
¥1.4577
4373.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
100 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-82FL-4
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
10 GHz
商标
ON Semiconductor
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频发射器 Programmable TPMS Transmitter IC
暂无价格
参考库存:58820
无线和射频半导体
射频放大器 5-500MHz NF:4.0dB VSWR: 1.5:1
1:¥15,898.3542
2:¥15,458.7503
5:¥15,104.5179
参考库存:58825
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 128 kB M3, +13/+20 dBm Pro2+, QFN64 wireless MCU
1,000:¥33.1203
参考库存:58830
无线和射频半导体
衰减器 10.0dB +/-0.5dB 50ohm 63mW
1,000:¥71.4612
参考库存:58835
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
100:¥1,124.8585
参考库存:58840
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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