BGA7H1N6E6327XTSA1原装正品_库存数量_PDF手册

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSNP-6
类型	LNA for LTE
技术	SiGe
工作频率	2300 MHz to 2690 MHz
P1dB - 压缩点	- 1 dBm
增益	12.5 dB
工作电源电压	3.3 V
NF—噪声系数	0.6 dB
OIP3 - 三阶截点	6 dBm
工作电源电流	4.7 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	Infineon Technologies
输入返回损失	11 dB
隔离分贝	21 dB
Pd-功率耗散	60 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	15000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	7H1N6 BGA E6327 SP001109130
单位重量	1 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CMPA0060002F	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 2 Watt	1:¥1,340.632	参考库存:1590
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F1751NBGI	IDT	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器 Ultra-Linear Single Ch Mixer Rx 11.8dB	1:¥78.987 10:¥71.077 25:¥64.7716 50:¥60.0143	参考库存:3574
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CC2642R1FRGZT	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU BLUETOOTH SIMPLELINK WIRELESS MCU	1:¥49.4827 10:¥44.7254 25:¥41.3354 100:¥36.9623 250:¥35.1204	参考库存:3568