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无线和射频半导体
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BLV25

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库存:3,492(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,224.6714
1224.6714
10
¥1,123.785
11237.85
25
¥1,008.525
25213.125
50
¥893.265
44663.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
33 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
17.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
316-01
封装
Tray
工作频率
108 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
220 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU BLE and IEEE 802.15.4
3,000:¥24.973
参考库存:42189
无线和射频半导体
射频混合器 RF 10-2800MHz IF 10-2000MHz
100:¥273.1662
250:¥256.6456
参考库存:42194
无线和射频半导体
RFID应答器 MF1SEP1001DUD/UNCASED//03/WAFER SAWN FFC NDP NO MA
473,400:¥2.8589
参考库存:42199
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 64 kB M4, USB, +13/+20 dBm Pro2+, QFN64 wireless MCU
260:¥39.9568
520:¥37.6516
1,040:¥37.1092
参考库存:42204
无线和射频半导体
射频放大器 200-3000MHz NF 3.7dB Gain 19dB
50:¥175.037
参考库存:42209
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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