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无线和射频半导体
MRF134参考图片

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MRF134

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
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数量单价合计
1
¥241.8878
241.8878
10
¥223.6835
2236.835
25
¥214.6096
5365.24
50
¥205.547
10277.35
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
900 mA
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
11 dB
输出功率
5 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
211-07-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RFPA5512TR13
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 4.9-5.85GHzGain 33dB Pout 23dBm
1:¥23.5153
250:¥21.5943
500:¥18.8258
1,000:¥15.6731
2,500:¥12.5995
参考库存:14989
AFE5401TRGCTQ1
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频前端 Quad-CH Intg AFE
1:¥254.4986
5:¥243.967
10:¥234.7462
25:¥224.2146
250:¥191.2525
参考库存:5056
F1192BNLGK
IDT
无线和射频半导体
射频混合器
1:¥90.8294
10:¥82.5239
25:¥76.3767
50:¥74.3088
参考库存:5443
MRF148A
MACOM
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB
1:¥291.6078
10:¥280.5451
参考库存:3950
HMC644ALC5
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 5-Bit dig Phase Shifter SMT, 15 - 18.5
1:¥1,219.9932
5:¥1,202.7042
10:¥1,168.3522
25:¥1,108.2588
参考库存:3122

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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