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产品分类

无线和射频半导体
BFR 193W H6327参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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BFR 193W H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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库存:50,657(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.9605
96.05
1,000
¥0.73789
737.89
3,000
¥0.63054
1891.62
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR193
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
80 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
900 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
80 mA
Pd-功率耗散
580 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR193WH6327XT BFR193WH6327XTSA1 SP000734404
单位重量
60 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CEL
无线和射频半导体
射频放大器 LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
1:¥14.2945
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥7.3789
参考库存:2106
无线和射频半导体
射频放大器 0.4-20GHz lo Noise amp
2:¥1,099.5804
6:¥1,084.0542
10:¥1,053.0922
26:¥998.92
参考库存:1628
无线和射频半导体
射频前端 168-171MHz FEM ISM Band
1:¥43.8779
100:¥38.8833
200:¥32.5779
500:¥27.5833
1,000:¥20.0575
2,500:¥15.0629
参考库存:2110
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.0736
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02152
参考库存:18537
无线和射频半导体
射频前端 WiFi FEM NF 2.5dB 3.3V RX Gain 12.5dB
1:¥19.1309
100:¥15.142
200:¥12.7577
500:¥10.7576
1,000:¥7.9891
参考库存:1974
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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