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无线和射频半导体
BF 998 E6327参考图片

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BF 998 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.4238
142.38
1,000
¥1.06785
1067.85
3,000
¥0.92208
2766.24
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Gate
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
BF998
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
8 V to 12 V
零件号别名
BF998E6327HTSA1 BF998E6327XT SP000010978
单位重量
10 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管
65:¥123.6333
100:¥120.0964
250:¥109.497
500:¥102.4232
参考库存:56453
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Wide Band Frac-Integer-N Integrated Synthesizer
2,940:¥55.4039
参考库存:56458
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4
2,500:¥16.0573
5,000:¥15.4471
参考库存:56463
无线和射频半导体
射频收发器 NCK2912AHN/HVQFN48//T0B/REEL 13 Q1 DP
4,000:¥18.5207
参考库存:56468
无线和射频半导体
RF 开关 IC
3,000:¥19.21
参考库存:56473
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