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产品分类

无线和射频半导体

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MRFE6S9125NBR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
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数量单价合计
500
¥487.3238
243661.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 66 V
增益
20.2 dB
输出功率
27 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-4
封装
Reel
配置
Single
高度
2.64 mm
长度
23.67 mm
工作频率
880 MHz
系列
MRFE6S9125N
宽度
9.07 mm
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935309651528
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 RFID TRANSPONDER CT89 VPE
50:¥170.743
100:¥165.0478
250:¥155.9061
500:¥151.3748
参考库存:44695
无线和射频半导体
射频放大器 MMIC amplifier die
25:¥1,575.9884
50:¥1,473.181
参考库存:44700
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU AVR Z-Link BUNDLE
217:¥59.0877
250:¥54.014
500:¥49.3358
1,000:¥44.5672
参考库存:44705
无线和射频半导体
锁相环 - PLL
25:¥485.6288
100:¥457.9664
参考库存:44710
无线和射频半导体
射频前端 5G LNA-SW FEM in 3 x 3mm QFN
3,000:¥5.198
6,000:¥5.0737
参考库存:44715
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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