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产品分类

无线和射频半导体

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MRFE6S9125NBR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
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库存:57,891(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥487.3238
243661.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 66 V
增益
20.2 dB
输出功率
27 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-4
封装
Reel
配置
Single
高度
2.64 mm
长度
23.67 mm
工作频率
880 MHz
系列
MRFE6S9125N
宽度
9.07 mm
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935309651528
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.0002
10:¥3.3222
100:¥2.0227
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:16990
IDT
无线和射频半导体
衰减器 6Bit, 31.5dB Max .5dB Step Attenuator
1:¥51.0195
10:¥45.5616
25:¥41.0303
50:¥39.1884
参考库存:5267
无线和射频半导体
锁相环 - PLL High VTG Charge Pump
1:¥45.7198
10:¥41.1094
25:¥38.646
50:¥36.3408
参考库存:2574
无线和射频半导体
射频收发器 TXRX SubG +20dBm
1:¥22.8938
10:¥21.6734
25:¥20.9728
50:¥20.3626
参考库存:6031
无线和射频半导体
射频放大器 2.4GHz P1dB 26.5dBm 3.3Volt 802.11bg
1:¥10.9158
10:¥8.6784
100:¥6.7122
500:¥5.9325
3,000:¥4.1697
参考库存:13128
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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