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无线和射频半导体
MT3S113(TE85L,F)参考图片

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MT3S113(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 800mW
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库存:45,751(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥2.0792
6237.6
9,000
¥2.0001
18000.9
24,000
¥1.921
46104
45,000
¥1.8984
85428
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MT3S113
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
5.3 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-236-3
封装
Reel
工作频率
12.5 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IDT
无线和射频半导体
射频放大器 Dual Matched Broadband RF DVGA
2,500:¥62.3195
参考库存:56351
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 32 kB M0+, USB, +13 dBm EZRadio, QFN48 wireless MCU
2,000:¥20.4417
参考库存:56356
无线和射频半导体
PIN 二极管
20:¥321.4963
25:¥297.2917
50:¥287.9918
100:¥278.7032
参考库存:56361
无线和射频半导体
PIN 二极管
10:¥876.4393
25:¥858.0768
50:¥845.8502
100:¥815.1142
参考库存:56366
NJR
无线和射频半导体
射频放大器 800 MHz Band Mxr
3,000:¥6.6444
参考库存:56371
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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