| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥624.325 5:¥612.1888 10:¥591.9731 25:¥566.921
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参考库存:45258
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHZ OM780-2
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250:¥723.7537
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参考库存:45238
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S261W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥624.325 5:¥612.1888 10:¥591.9731 25:¥566.921
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参考库存:45228
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1316N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥507.5282
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参考库存:45098
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1018N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥382.1999
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参考库存:45093
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KHS/CFM4F///REEL 13
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50:¥3,779.1494
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参考库存:45083
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 50 W Avg. 28 V
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250:¥995.5413
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参考库存:45019
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
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50:¥3,278.2995
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参考库存:45004
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4
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250:¥811.9728
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参考库存:44994
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H300-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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1:¥1,132.5425 5:¥1,107.2644 10:¥1,084.6757 25:¥1,068.6184
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参考库存:44831
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2
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250:¥714.838
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参考库存:44691
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT18S260W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥912.8592
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参考库存:44527
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S
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250:¥908.1697
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参考库存:44510
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT09S220-02N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥822.7304
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参考库存:44335
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S160-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥687.944
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参考库存:44288
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230HS
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150:¥1,073.6808
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参考库存:44236
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF7S24250N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥1,100.959 5:¥1,079.602 10:¥1,043.9505 25:¥999.7675
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参考库存:44127
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1317H/CFM4F///REEL 13
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50:¥4,321.7076
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参考库存:44059
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V
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50:¥4,765.0744
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参考库存:43817
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1018NB/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥388.2002
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参考库存:43812
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