| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4
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250:¥700.0124
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参考库存:37156
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V
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250:¥484.0129
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参考库存:37100
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4G
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1:¥165.8953 10:¥152.5274 25:¥145.77 100:¥128.8652 500:¥111.2598
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参考库存:5444
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230H
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50:¥4,403.7004
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参考库存:37068
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KHS/CFM4F///REEL 13
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50:¥3,872.3518
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参考库存:37058
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1316N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥507.5282
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参考库存:37019
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 55 W AVG. 28 V
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250:¥759.2583
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参考库存:37007
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 6 W 7.5V
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1:¥28.3517 10:¥24.1255 100:¥20.905 250:¥19.8202 1,000:¥15.0629
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参考库存:12490
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-500MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1:¥9,605.00 5:¥9,451.4782
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参考库存:2828
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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250:¥654.5186
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参考库存:36940
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS TRANSIS 915MHz, 350W CW,50V
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250:¥1,475.6331
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参考库存:36933
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V
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150:¥879.818
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参考库存:36916
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31GS/CFM4///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥773.6206
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参考库存:36906
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1019N/PLD4L///REEL 7
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1:¥586.8994 5:¥569.7686 10:¥557.5533 25:¥534.1962 100:¥495.0078
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参考库存:3224
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1018N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥382.1999
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参考库存:36833
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4
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1:¥145.3858 10:¥133.6225 25:¥127.7126 100:¥112.8757 500:¥97.5077
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参考库存:36791
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W
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1:¥837.782 5:¥821.4987 10:¥794.3674 25:¥760.7951 50:¥750.3426
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参考库存:36777
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6
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1:¥877.9761 5:¥860.9131 10:¥832.4823 25:¥797.2941 50:¥786.2992
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参考库存:36767
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 63W
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250:¥657.5922
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参考库存:36711
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
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250:¥1,013.2936
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参考库存:36692
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