| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KGS/CFM4///REEL 13
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50:¥3,879.5725
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参考库存:36671
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 2450 MHz 25 W CW 28 V
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500:¥312.8179
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参考库存:36631
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1320N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥295.2238
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参考库存:36626
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF4/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1:¥10,051.0562 5:¥9,943.096
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参考库存:2500
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W
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1:¥297.4499 5:¥282.387 10:¥277.5506 25:¥251.5719 500:¥214.6096
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参考库存:3329
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4
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1:¥150.3013 10:¥138.1538 25:¥132.0857 50:¥124.4017 500:¥100.8186
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参考库存:4123
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1011H/CFM2F///REEL 13
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50:¥3,427.4482
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参考库存:36516
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-200MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1:¥7,538.23 5:¥7,457.2429 10:¥7,377.1033
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参考库存:36506
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09VD250N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥709.1541
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参考库存:36458
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V
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1:¥2,145.4519 5:¥2,097.5738 10:¥2,054.6225 25:¥2,024.3498 50:¥1,950.8094
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参考库存:2495
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 900MHZ 80W OM780-2
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250:¥905.4803
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参考库存:36435
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230S
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1:¥1,433.2242 5:¥1,401.2565 10:¥1,372.5884 25:¥1,352.3049 50:¥1,303.2064
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参考库存:36394
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,688.2539
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参考库存:36387
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V
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1:¥122.6389 10:¥112.7288 25:¥107.802 100:¥95.2025 500:¥82.2188
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参考库存:4746
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥1,028.5825
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参考库存:36380
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT09S220-02N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥822.7304
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参考库存:36361
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308H/CFM4F///REEL 13
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1:¥1,646.297 5:¥1,609.572 10:¥1,576.5986 25:¥1,553.3206 50:¥1,496.9223
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参考库存:36261
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09D400-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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150:¥942.6008
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参考库存:36251
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 55W
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250:¥774.6263
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参考库存:36223
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
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500:¥487.3238
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参考库存:36208
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