| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥652.5976
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参考库存:40882
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt
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1:¥531.1226
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参考库存:7035
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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500:¥987.9364
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参考库存:40813
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PDF数据手册
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500:¥768.40
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参考库存:40806
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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1:¥848.0085 50:¥848.0085
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参考库存:6836
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
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1:¥6,372.7254 50:¥6,372.7254
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参考库存:6907
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt
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1:¥5,780.2099
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参考库存:6845
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥597.1259
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参考库存:40752
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
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1:¥2,165.8145
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参考库存:6935
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥823.8039
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参考库存:40697
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
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1:¥862.0657
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参考库存:7878
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥1,097.7385
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参考库存:40638
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt
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暂无价格
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参考库存:40621
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥597.1259
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参考库存:40616
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥518.67
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参考库存:40604
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥945.6744
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参考库存:40592
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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500:¥853.9975
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参考库存:40578
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥714.0696
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参考库存:40566
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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500:¥738.2064
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参考库存:40534
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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1:¥1,281.0019 50:¥1,281.0019
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参考库存:40455
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