| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥823.8039
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参考库存:36678
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
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1:¥945.2111
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参考库存:2592
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
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暂无价格
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参考库存:36660
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥823.8039
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参考库存:36655
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt
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暂无价格
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参考库存:36643
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥652.5976
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参考库存:36614
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥329.3385
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参考库存:36578
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120W
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100:¥2,165.8145
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参考库存:36544
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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250:¥1,018.13
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参考库存:36533
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥1,097.7385
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参考库存:36499
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
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暂无价格
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参考库存:36472
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥518.67
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参考库存:36447
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt
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1:¥1,456.5813
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参考库存:2529
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥3,941.1236
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参考库存:36424
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
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1:¥2,111.2581
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参考库存:2318
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
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1:¥1,281.8494
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参考库存:2866
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥530.7384
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参考库存:36370
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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250:¥768.40
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参考库存:36356
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥848.0085
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参考库存:36351
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥1,281.0019
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参考库存:36346
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