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晶体管
SIHG33N65E-GE3参考图片

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SIHG33N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:48,556(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.7145
52.7145
10
¥47.4826
474.826
25
¥43.2564
1081.41
100
¥39.0302
3903.02
250
¥35.8888
8972.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
31.6 A
Rds On-漏源导通电阻
95 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
114 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
313 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
EF
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
71 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
56 ns
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
105 ns
典型接通延迟时间
32 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.89157
20,000:¥0.82264
50,000:¥0.791
100,000:¥0.76049
参考库存:45253
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥624.325
5:¥612.1888
10:¥591.9731
25:¥566.921
参考库存:45258
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥1.5707
参考库存:45263
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
3,000:¥2.2148
参考库存:45268
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BISS RET
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
99,000:¥0.25312
参考库存:45273
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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