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晶体管
D3S280N65E-T参考图片

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D3S280N65E-T

  • D3
  • 新批次
  • MOSFET 280 mOhm 650V
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库存：48,495(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5995
12.5995
10
¥10.2152
102.152
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1303
3565.15
800
¥5.8986
4718.88
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
D3 Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
11.6 A
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
22.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
91 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
D3
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
5 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CPC3960ZTR
IXYS Integrated Circuits
晶体管
MOSFET 600V N-Channel Depletion-Mode FET
1:¥5.989
10:¥5.2658
25:¥5.1302
50:¥4.9607
1,000:¥2.3391
参考库存:12037
CSD87313DMST
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30V N CH MOSFET
1:¥15.142
10:¥12.8368
100:¥10.2152
250:¥10.2152
500:¥8.9157
参考库存:6789
STW70N60DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.032 Ohm typ., 67 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥76.7609
10:¥69.382
25:¥66.1615
100:¥57.404
参考库存:7936
SUM90220E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263
1:¥20.905
10:¥17.3681
100:¥13.447
500:¥11.752
参考库存:4393
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.0512
500:¥6.2263
5,000:¥4.3618
10,000:查看
参考库存:72240

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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