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晶体管
FF600R12IP4参考图片

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FF600R12IP4

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库存:7,653(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3,089.9624
3089.9624
5
¥2,903.7045
14518.5225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
600 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
3.35 kW
封装 / 箱体
PRIME2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
172 mm
宽度
89 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
3
子类别
IGBTs
零件号别名
FF600R12IP4BOSA1 SP000609754
单位重量
825 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch, 600V-0.85ohms 7A
1:¥21.6734
10:¥18.3625
100:¥14.7578
500:¥12.9046
参考库存:5763
晶体管
JFET SS SOT23 JFET NCH 30V TR
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.6724
参考库存:15245
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:4472
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
参考库存:9374
晶体管
MOSFET 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.4975
500:¥5.7404
参考库存:7436
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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