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晶体管

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5	¥14,409.647	72048.235

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	IGBT 模块
RoHS	否
配置	Triple Common Emitter Common Gate
集电极—发射极最大电压 VCEO	3300 V
集电极—射极饱和电压	3.4 V
在25 C的连续集电极电流	2000 A
栅极—射极漏泄电流	400 nA
Pd-功率耗散	14.5 kW
封装 / 箱体	IS5a ( 62 mm )-9
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 125 C
封装	Tray
高度	38 mm
长度	190 mm
宽度	140 mm
商标	Infineon Technologies
安装风格	Chassis Mount
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs
零件号别名	FZ1200R33KF2CNOSA1 SP000100603

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SIHF8N50L-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK	1:¥11.9893 10:¥9.9892 100:¥7.684 500:¥6.7348	参考库存:25795
RN1317(TE85L,F)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 10K x 4.7Kohms	1:¥2.2261 10:¥1.4238 100:¥0.5989 1,000:¥0.4068 3,000:¥0.30736	参考库存:47575
RN2115,LF(CT	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor	1:¥1.695 10:¥1.06785 100:¥0.44522 1,000:¥0.30736 3,000:¥0.23052	参考库存:25802
BUK9Y8R7-60E,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 60 V 8.7 mo FET	1:¥6.8365 10:¥5.8421 100:¥4.4861 500:¥3.9663 1,000:¥3.1301 1,500:¥3.1301	参考库存:7582
PDTC144ET,215	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7	1:¥1.3108 10:¥1.1639 100:¥0.41471 1,000:¥0.27685 3,000:¥0.2147	参考库存:117474