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晶体管
IRG4PH40KPBF参考图片

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IRG4PH40KPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
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库存:51,584(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.3466
39.3466
10
¥33.4254
334.254
100
¥28.9732
2897.32
250
¥27.5042
6876.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
高度
20.3 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001549272
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥4.1471
10:¥3.4578
25:¥2.8476
100:¥2.6103
2,000:¥1.6837
参考库存:42848
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 9.5Watt Gain 15dB
1:¥424.541
5:¥389.5788
10:¥349.622
25:¥309.6652
参考库存:42853
晶体管
MOSFET 30V 20A 27.5W
1:¥17.8992
10:¥14.8256
100:¥11.526
500:¥10.0683
3,000:¥7.7631
6,000:查看
参考库存:42858
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
参考库存:5021
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R 2.5K
2,500:¥3.5369
参考库存:40023
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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