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晶体管
IGB03N120H2参考图片

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IGB03N120H2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
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库存:53,458(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.2945
14.2945
10
¥12.1362
121.362
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
1,000
¥7.0738
7073.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
IGB03N120
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
9.6 A
高度
4.4 mm
长度
10.25 mm
宽度
9.9 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
IGB03N120H2ATMA1 IGB3N12H2XT SP000014616
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:54343
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10K
1:¥3.6838
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.54579
20,000:查看
参考库存:77280
晶体管
MOSFET 150V NCHAN PwrTrench
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
800:¥6.1359
参考库存:12317
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥51.0195
10:¥46.104
25:¥43.957
100:¥38.194
450:¥33.2672
900:查看
参考库存:6979
晶体管
MOSFET FET 150V 12.4 MOHM PQFN56
1:¥27.5042
10:¥23.3571
100:¥20.2835
250:¥19.21
3,000:¥13.8312
6,000:查看
参考库存:92761
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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