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晶体管
A3G20S250-01SR3参考图片

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A3G20S250-01SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G20S250-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
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数量单价合计
1
¥725.8329
725.8329
5
¥702.3967
3511.9835
10
¥688.3282
6883.282
25
¥644.9927
16124.8175
100
¥622.7882
62278.82
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN Si
Id-连续漏极电流
250 mA
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
18.2 dB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-400S-2
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1800 MHz to 2200 MHz
系列
A3G20S250
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935377832118
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTB123YUF
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
1:¥2.6103
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
10,000:¥0.34578
20,000:查看
参考库存:44152
BCM53DSX
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCM53DS SC-74
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
参考库存:18635
AC847BWQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.07576
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:198817
DMP2007UFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 29nC
3,000:¥2.5764
参考库存:44161
2PB709ASW,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.4577
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:44166

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