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晶体管
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JAN2N5339U3

  • Microsemi
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
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¥1,137.6162
113761.62
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-276AA
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
1.2 V
最大直流电集电极电流
5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
15
封装
Tray
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
3
Pd-功率耗散
75 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRF1405ZS-7TRL
Infineon / IR
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 55 / 60
1:¥24.2046
10:¥20.5208
100:¥17.8314
250:¥16.9048
800:¥12.7577
2,400:查看
参考库存:7974
DMT69M8LFV-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
2,000:¥2.2148
参考库存:21426
IRF250P225
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET IFX OPTIMOS
1:¥45.7198
10:¥38.8833
100:¥33.6514
250:¥31.9677
参考库存:9078
CG2H80030D-GP4
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
10:¥561.6213
参考库存:4730
IPP60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥25.2781
10:¥21.5152
100:¥18.5998
250:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:5572

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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