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产品分类

晶体管
JAN2N2369AUB/TR参考图片

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JAN2N2369AUB/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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库存:52,220(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥166.9688
16696.88
250
¥153.2167
38304.175
500
¥145.8378
72918.9
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LCC-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4.5 V
集电极—射极饱和电压
0.2 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
120 at 100 mA, 1 V
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
20 at 100 mA, 1 V
Pd-功率耗散
0.36 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 40 V 7.6 mo FET
1:¥10.2943
10:¥8.8366
100:¥6.7348
500:¥5.9551
1,000:¥4.7008
1,500:¥4.7008
参考库存:28948
晶体管
MOSFET 150V N-Channel QFET
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
1,000:¥6.4523
参考库存:11200
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
1:¥241.8878
10:¥223.6835
25:¥214.6096
50:¥205.547
参考库存:3482
CEL
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
1:¥12.2153
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.1472
10,000:¥4.7121
参考库存:37624
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp
1:¥11.9102
10:¥9.831
100:¥7.5032
500:¥6.4523
1,000:¥5.0963
参考库存:19026
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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