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晶体管
JAN2N2218AL/TR参考图片

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JAN2N2218AL/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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库存:52,388(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥89.1344
8913.44
250
¥81.2922
20323.05
500
¥75.9925
37996.25
1,000
¥69.7662
69766.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-5-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
75 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
最大直流电集电极电流
800 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
325 at 1 mA, 10 V
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
20 at 500 mA, 10 V
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥124.4808
250:¥113.4972
500:¥106.1974
参考库存:53337
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:53342
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
128:¥113.113
250:¥103.1238
500:¥96.5133
1,000:¥88.5242
参考库存:53347
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
暂无价格
参考库存:53352
晶体管
MOSFET TO-220F MOSFET
2,000:¥2.5086
4,000:¥2.2939
10,000:¥2.1018
24,000:¥2.0566
参考库存:53357
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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