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晶体管
IPZA60R120P7XKSA1参考图片

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IPZA60R120P7XKSA1

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库存：2,451(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.4199
36.4199
10
¥30.962
309.62
100
¥26.8149
2681.49
250
¥25.4363
6359.075
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
95 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
Power MOSFET
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
81 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
IPZA60R120P7 SP001707744
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FZ250R65KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 250A 6500V
1:¥10,372.7107
5:¥10,206.8832
参考库存:4240
FD1000R17IE4D_B2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥4,892.8661
5:¥4,598.0265
参考库存:39158
BFR31,235
NXP Semiconductors
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single '+/- 25V 5mA
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
10,000:¥1.2543
20,000:查看
参考库存:47827
NVD5890NLT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9608
2,500:¥5.3675
5,000:查看
参考库存:14754
FGB3040CS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT EcoSPARK 300mJ 400V NCh Cur Sen Ign
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.9049
250:¥17.8992
500:¥16.0573
800:¥16.0573
参考库存:8431

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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