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产品分类

晶体管
IPP60R090CFD7XKSA1参考图片

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IPP60R090CFD7XKSA1

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库存:6,303(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.4883
48.4883
10
¥41.1885
411.885
100
¥35.6515
3565.15
250
¥33.8887
8472.175
500
¥30.3518
15175.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
CoolMOS CFD7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
88 ns
典型接通延迟时间
33 ns
零件号别名
IPP60R090CFD7 SP001686050
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥3.7629
10:¥3.1753
100:¥1.9323
1,000:¥1.5029
2,500:¥1.2769
参考库存:14397
晶体管
MOSFET 30V/20V N-Ch PowerTrench SyncFET
1:¥4.5313
10:¥3.7629
100:¥2.4295
1,000:¥1.9436
3,000:¥1.6498
参考库存:13624
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 80V
1:¥2.9154
10:¥2.0227
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
4,000:¥0.60681
参考库存:97176
晶体管
MOSFET TAPE13 MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:33573
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT Dual NPN
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:254605
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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