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产品分类

晶体管
NGTB40N120S3WG参考图片

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NGTB40N120S3WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF
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库存:9,059(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.1775
47.1775
10
¥40.115
401.15
100
¥34.7362
3473.62
250
¥32.9621
8240.525
500
¥29.5834
14791.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
454 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
160 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
20 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 150mW
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:25338
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
3,000:¥1.6159
6,000:查看
参考库存:34060
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.8364
10:¥3.955
100:¥2.4182
1,000:¥1.8645
参考库存:10667
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6046
1,000:¥1.243
2,500:¥1.05994
参考库存:23444
晶体管
MOSFET 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET
1:¥6.8365
10:¥5.6839
100:¥3.6725
500:¥3.6725
1,000:¥2.938
参考库存:8196
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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