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晶体管
A1P35S12M3-F参考图片

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A1P35S12M3-F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:4,018(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥309.4392
309.4392
5
¥302.5236
1512.618
10
¥288.6924
2886.924
25
¥276.624
6915.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Sixpack
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
250 W
封装 / 箱体
ACEPACK1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
A1P35S12M3-F
商标
STMicroelectronics
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
18
子类别
IGBTs
商标名
ACEPACK
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5201
500:¥5.7743
参考库存:5038
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:82840
晶体管
MOSFET 20V 10A P-Channel
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.7913
2,500:¥4.7573
10,000:查看
参考库存:21797
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.8422
参考库存:4959
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.308 Ohm 11 A MDmesh M5
1:¥22.2045
10:¥18.8258
100:¥15.0629
500:¥13.221
1,000:¥10.9836
参考库存:6606
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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