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晶体管

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APTGL60DDA120T3G

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数量单价合计
1
¥485.0864
485.0864
5
¥470.419
2352.095
10
¥456.5878
4565.878
25
¥428.0779
10701.9475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SMALL SIGNAL PNP
2,000:¥24.5888
参考库存:39883
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥2.7685
10,000:¥2.6781
25,000:¥2.5877
参考库存:39888
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥591.2047
参考库存:39893
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans
暂无价格
参考库存:39898
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 6A, 750mOhm
15,000:¥4.7121
参考库存:39903
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    50万现货SKU

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