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晶体管
2SD2143TL参考图片

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2SD2143TL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 DARL NPN 60V 2A
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库存:26,445(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥3.9324
39.324
100
¥3.5482
354.82
1,000
¥3.164
3164
2,500
¥3.164
7910
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
70 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—基极电压 VCBO
70 V
最大直流电集电极电流
2 A
最大集电极截止电流
1 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SD2143
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
1000
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
宽度
5.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
零件号别名
2SD2143
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
1:¥3.616
10:¥3.0397
100:¥1.8532
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2204
参考库存:42564
晶体管
MOSFET 60V NCHAN PwrTrench
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:11011
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 80V 40W NPN
1:¥5.1528
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
参考库存:41708
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 950A
1:¥7,150.0411
参考库存:1690
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W
1:¥30.51
10:¥27.9675
25:¥25.4363
100:¥22.8938
1,000:¥17.1308
2,000:查看
参考库存:11492
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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