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晶体管
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FGA25N120ANTDTU

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数量单价合计
1
¥30.8942
30.8942
10
¥26.2838
262.838
100
¥22.7469
2274.69
250
¥21.5943
5398.575
500
¥19.3682
9684.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
312 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGA25N120ANTD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
高度
18.9 mm
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGA25N120ANTDTU_NL
单位重量
6.401 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N2222A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥38.646
10:¥34.4989
25:¥31.0411
100:¥28.2726
参考库存:4374
APTGT50A170T1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥532.6594
5:¥515.9806
10:¥500.3075
25:¥477.7188
参考库存:4411
SMBT 2222A E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.6A
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:520398
RN2105MFV,L3F
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP -.1A -50V 2.2kohm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
8,000:¥0.18419
24,000:查看
参考库存:83590
ZXMP6A16DN8TC
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
2,500:¥3.8081
参考库存:47674

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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